Halbleiterdioden
Halbleitende Werkstoffe wie Ge, Si, GaP (Galliumphosphid), InAs (Indiumarsenid) oder InSb (Indiumantimonid) besitzen eine stark temperaturabhängige Leitfähigkeit, die allerdings nur in sehr reinen großräumigen Kristallen (Einkristalle) von Bedeutung ist.
Aus dem Inhalt:
[...] Hinweise zur Herstellung von pn-Übergängen In den bisherigen Überlegungen wurde ein pn-Übergang einfach als gegeben betrachtet. Seine reale Herstellung erfordert jedoch z.T. aufwändige Technologien. [...]
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